Italia nuova frontiera della ricerca sui chip di potenza destinati in futuro alla produzione di automobili elettriche, energia rinnovabile, satelliti, laser e altre tecnologie all’avanguardia. Insieme a Polonia, Finlandia e Svezia, il nostro Paese si candida al bando dell’Unione europea per la realizzazione di impianti nel distretto di microelettronica di Catania. Il progetto pilota sarà finanziato con circa 220 milioni di euro previsti dal Chips Act, attraverso il quale l’Ue cercherà di competere con gli investimenti miliardari di Stati Uniti e Cina nella corsa allo sviluppo di microchip ad alte prestazioni.
Il progetto pilota
Come spiega ‘Milano Finanza’, l’Unione europea ha fissato uno stanziamento di 1,67 miliardi di euro, che dovrebbe arrivare a 3,3 miliardi attraverso il co-finanziamento degli Stati membri, per le quattro Linee Pilota dedicate all’allargamento delle frontiere della microelettronica (qui abbiamo spiegato cos’è il Chips Act in occasione dell’entrata in vigore del regolamento).
Il Governo italiano, tramite l’iniziativa del ministero delle Imprese e del Made in Italy, è riuscito a fare inserire un quarto bando, rispetto ai tre previsti inizialmente, al quale parteciperà in cordata con Polonia, Finlandia e Svezia, oltre a 11 multinazionali specializzate nel settore.
Il progetto sarà finanziato con 180 milioni di euro, che dovrebbero salire a 420 milioni con le risorse aggiunte dai Paesi e dalle aziende coinvolte (qui abbiamo parlato dei fondi stanziati dal governo per lo sviluppo dei semiconduttori previsto dal Chips Act).
Le altre tre Linee pilota riguardano i chip a 2 nanometri, per i quali sono stati stanziati 700 milioni di euro, quelli a 7 nanometri ad alta efficienza energetica, con 430 milioni destinati alla ricerca, e quello sul packaging avanzato, che dovrebbe ricevere 320 milioni di finanziamenti.
L’impianto
In caso di vittoria del bando sulla quarta Linea Pilota, circa 220 milioni di euro verranno indirizzati alla costruzione dell’impianto di Catania a partire dal 2025: il complesso sarà realizzato nel distretto del Cnr e dell’Istituto per la microelettronica e Microsistemi (Imm), all’avanguardia nel campo dei micro-nano dispositivi, sensori elettronici e fotonici, dove è già presente la sede del colosso high-tech di componenti elettronici e semiconduttori STMicroelettronics.
“Una grande opportunità per la nostra città, per la Sicilia e il consolidamento della nostra zona industriale come Etna Valley – ha commentato il senatore catenese di Fratelli d’Italia, Salvo Pogliese – che ha da poco visto anche l’avvio da parte proprio di ST del cantiere per il nuovo modulo che con un miliardo di euro di investimenti porterà alla creazione di oltre 700 nuovi posti di lavoro”.
L’obiettivo del progetto pilota è lo sviluppo dei “wide-bandgap semiconductors”, i cosiddetti chip di potenza, capaci di resistere a temperature, tensioni e frequenze molto più elevate rispetto ai chip prodotti con materiali semiconduttori utilizzati attualmente, come silicio e arsenurio di gallio.
I “WBGSs” rappresentano i componenti essenziali per lo sviluppo di tecnologie a laser e led, in particolare nel campo militare, per la possibilità di funzionare fino a 300 gradi Celsius. Ma l’ambito di applicazione dei chip di potenza spazia dall’energia rinnovabile alla biomedicina, dalle telecomunicazioni al settore aereospaziale, dai trasporti al calcolo quantistico (qui avevamo parlato della guerra dei chip della Cina con l’Europa).